三星電子（Samsung Electronics）傳出將採用台積電的 3 奈米製程，為 NVIDIA 次世代客製化高頻寬記憶體（HBM）製造基底晶粒（Base Die）。《Reuters》引述韓國《首爾經濟新聞》的報導指出，三星已接受 NVIDIA 對 NVHBM 提出的製程要求。
NVIDIA 要求採用台積電製程，NVHBM 將記憶體控制器整合至基底晶粒
《首爾經濟新聞》引述業界消息人士指出，NVIDIA 已要求三星、SK 海力士（SK hynix）及美光科技（Micron Technology）在 NVHBM 的基底晶粒採用台積電製程，並在核心晶粒使用第六代（1c）DRAM 技術。報導指出，三星經過內部評估後已接受相關要求，這也將是三星首次在 HBM 製造環節委託台積電生產。
NVHBM 是 NVIDIA 於今年 8 月公布的客製化 HBM 架構，將 NVIDIA 的客製化記憶體控制器整合至基底晶粒。NVIDIA 表示，這項設計旨在讓不同記憶體供應商的實作方式標準化。根據韓國媒體《ZDNet Korea》9 月的報導，這些記憶體控制器原本位於 AI 加速器中，NVHBM 預計從 HBM4E 世代開始應用；相較於標準 HBM4E，NVHBM 最高可提升 30% 的記憶體頻寬，並降低最多 15% 的功耗。報導也提到，亞馬遜（Amazon）可望成為首家採用的客戶，旗下晶片團隊 Annapurna Labs 計畫運用 NVLink Fusion 與 NVHBM 技術設計 AI 加速器 Trainium4。
基底晶粒位於多層 DRAM 核心晶粒下方，負責連接記憶體與邏輯晶片。《ZDNet Korea》指出，基底晶粒的重要性隨著每一代 HBM 演進而提升，三星與 SK 海力士今年起已改用晶圓代工製程，而非 DRAM 製程，生產 HBM4 的基底晶粒；客製化 HBM 則允許客戶將自家邏輯功能整合進基底晶粒，需要客戶、記憶體廠與晶圓代工廠密切合作。
三星規劃自家與台積電雙軌生產，保留內部產能調度空間
《ZDNet Korea》指出，三星過去主要透過自家系統 LSI 部門與晶圓代工部門供應 HBM 基底晶粒，但在 NVHBM 等客製化產品上，將同時採用三星晶圓代工與台積電生產的基底晶粒，並依客戶需求混合搭配。報導提到，已有客戶正在設計搭配三星 HBM 核心晶粒與台積電基底晶粒的產品。一名匿名消息人士表示，實際採用哪一種製程及各自占比，取決於最終客戶的需求。
對於由台積電製造的基底晶粒，相關晶片設計與最佳化支援將由三星記憶體事業部門負責，系統 LSI 部門則只負責設計三星晶圓代工的產品，部分系統 LSI 人員也已轉調至記憶體事業部門。《ZDNet Korea》分析，台積電與 NVIDIA 等大型科技企業關係緊密，若三星堅持由內部提供一條龍服務，可能難以滿足多元的客製化需求，甚至有被排除在市場之外的風險。
《首爾經濟新聞》則指出，三星雖然接受了 NVIDIA 的要求，但標準版 HBM，以及為 AMD 等其他客戶打造的客製化 HBM，仍將維持由內部一條龍生產的模式。三星今年 2 月開始量產的 HBM4，以及尚未量產的 HBM4E，基底晶粒皆採用三星晶圓代工的 4 奈米製程。報導也引述匿名消息人士表示，若未來 NVHBM 的需求超出台積電可提供的產能，三星正評估由自家晶圓代工部門製造基底晶粒的可能性。
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＊本文開放合作夥伴轉載，資料來源：《Reuters》、《ZDNet Korea》、《首爾經濟新聞》、Samsung，圖片來源：TSMC。
