先前有消息傳出，指中國成功打造了國產 DUV 曝光機設備，能夠製造 7 奈米以下先進晶片，但近日產業專家出面闢謠，指出該部 DUV 解析度不足，其實根本無法生產 7nm、8nm 晶片，甚至於連 28nm 製程產品都辦不到。
根據中國半導體科技媒體《芯智訊》的說法，從中國官方揭露的參數來看，先前曝光的中國本土 DUV 設備，其解析度為 ≤ 65nm，套刻精度 ≤ 8nm，雖然比起先前的技術（約 90nm）有所提升，但並未達到可以生產 28nm 晶片的程度，更遑論 7nm 或 8nm 晶片。
《芯智訊》指出，先前網友們誤傳消息的原因，在於大多數人都將「套刻精度」跟「曝光製程節點水準」兩者搞混，因此才對外造成了誤會；既然該台中國自製 DUV 設備的解析度為 65nm，那就代表單次曝光能夠達到的製程節點，大約就是落在 65nm 左右。
傳中國廠商提交 EUV 專利關鍵技術
然而，即便中國自製 DUV 出現消息誤傳，仍然沒有阻擋該國發展先進製程的決心。近日，德國科技媒體 Telepolis 發現，上海微電子裝備集團提交了新專利，內容涉及極紫外光微影製程，即 EUV 曝光機設備相關技術。
EUV 曝光技術目前被廣泛應用於 7nm 及以下製程晶片，但全世界擁有相關設備製造能力的廠商，目前僅有荷蘭艾司摩爾（ASML）獨獨一家，其市佔率也高達 100%。
根據報導，上海微電子此次披露的一系列 EUV 技術專利，主要涉及光源產生與曝光設備，包含極紫外光產生器、雷射產生器、收集鏡、電極板等，皆是 EUV 機台的重要關鍵零件。
EUV 技術複雜，中國自製能力有待證明
在面對美國、日本、荷蘭等多國同盟，陸續封鎖中國取得先進晶片製造技術的情況下，外媒 Telepolis 認為，中國於 EUV 技術方面的進步仍勢不可擋，同時正於晶片領域迎頭趕上。
值得注意的是上海微電子並非中國唯一申請 EUV 專利的公司，華為早在 2022 年就於當地申請了 EUV 系統的相關專利。
然而，中國廠商送出的 EUV 專利，雖然象徵中國推動半導體自主製造的重要里程碑，並意圖減少對艾司摩爾等外國公司的依賴，但 EUV 設備畢竟是極度複雜的機器，且採用了過去 30 年來數十項高階技術突破，上海微電子與華為是否能獲得同樣成果，或許還有待時間證明一切。
【推薦閱讀】
◆ 稱中國 AI 僅落後美國 6 個月，李開復說無法阻止中國創造最佳 AI 應用
＊本文開放合作夥伴轉載，資料來源：《Tom’s Hardware》、《DW》。首圖來源：Bing
